Atravè konsepsyon kolaborasyon seleksyon materyèl, optimize jesyon tèmik, konsepsyon estrikti elektwomayetik, ak kontwòl pwosesis presizyon, tablo PCB frekans segondè yo ka sistematik satisfè egzijans sevè nan RF ak mikwo ond gwo -anplifikatè pouvwa, rezoud twa gwo pwen doulè nan pèt siyal, echèk tèmik, ak enpedans dezakò anba gwo pouvwa.
Seleksyon substra debaz: Balanse pèfòmans RF ak konduktiviti tèmik
Kontradiksyon debaz la nan gwo -anplifikatè pouvwa se balans ki genyen ant pèt siyal ki ba ak gwo kapasite dissipation chalè, epi li nesesè yo chwazi ankadreman apwopriye kòmsadwa.
Ti ak mwayen pouvwa PA senaryo: Rogers RO4350B ak yon konduktiviti tèmik nan 0.69W/m · K pi pito, Dk@10GHz =3.48, Df@10GHz =0.0037, konduktiviti tèmik la se de fwa sa yo ki nan FR-4 òdinè, epi li se konpatib ak konvansyonèl PCB pwodiksyon balans ant yon pèfòmans pwodiksyon ak pwosesis pwodiksyon.
Segondè pouvwa RF / mikwo ond senaryo: RT / duroid 6035HTC yo chwazi, ak yon konduktiviti tèmik nan 1.44W / m · K, ki se 2.4 fwa sa yo ki nan estanda segondè -frekans materyèl. Li fèt espesyalman pou gwo -anplifikatè pouvwa dansite pouvwa epi li ka byen vit ekspòte chalè dans nan tib pouvwa GaN.
Ti senaryo modil PA: Lè l sèvi avèk Rogers TMM10, Dk=9.20 ka siyifikativman redwi gwosè a nan 1/4 longèdonn rezo matche, ak yon konduktiviti tèmik nan 0.76W / m · K, balanse miniaturization ak kondisyon dissipation chalè.
Seleksyon papye kòb kwiv mete: Chemen siyal segondè-frekans lan itilize ultra-foil kwiv pwofil ki ba (HVLP, Rz<2 μ m) to suppress conductor loss caused by skin effect; The high current carrying path uses 2oz-4oz thick copper foil to enhance the current carrying capacity.
Konsepsyon sistèm jesyon tèmik: Elimine echèk tèmik nan aparèy pouvwa
Efikasite drenaj aparèy GaN nan gwo -anplifikatè pouvwa se sèlman 50% -65%, epi 35% -50% konsomasyon pouvwa konvèti an chalè, ki mande konstriksyon chanèl dissipation chalè milti-nivo:
Konplo dissipation chalè debaz: Yon gwo -dansite tèmik nan -etalaj twou ak yon dyamèt 0.2-0.3mm ranje anba pad tèmik nan tib pouvwa a, ak twou yo konplètman metalize dirèkteman kondui chalè nan anba a gwo-zòn kouch kòb kwiv mete tè, pa diminye plis pase tèmik rezistans 40%.
Segondè solisyon amelyorasyon pouvwa: Adopte teknoloji pyès kòb kwiv mete entegre, blòk kwiv pi yo entegre nan pozisyon enstalasyon aparèy pouvwa PCB, ak chalè ka dirèkteman transmèt nan kouch dielectric la pou ekspòtasyon, apwopriye pou ultra-senaryo dansite chalè segondè pi wo pase 10W/cm².
Optimize Layout: Konsantre tib pouvwa chofaj segondè sou kwen PCB la tou pre koule chalè ekstèn lan pou fè pou evite konsantrasyon tach cho; Foil kwiv chemen pouvwa a pasyèlman louvri fenèt yo ekspoze kòb kwiv mete, epi li konekte dirèkteman ak estrikti dissipation chalè ekstèn nan grès silikon tèmik kondiktif, plis diminye koòdone rezistans tèmik la.
Optimizasyon estrikti elektwomayetik: asire entegrite siyal ak estabilite
Rezo matche anplifikatè gwo -pouvwa a trè sansib a fluctuations enpedans epi li mande konsepsyon estriktirèl presi pou siprime refleksyon siyal ak eksitasyon pwòp tèt ou.
Kontwòl enpedans strik: Se tolerans enpedans karakteristik 50 Ω kontwole nan ± 5%, ak liy 1/4 longèdonn mikrostrip la modle ak kalibre davans lè l sèvi avèk lojisyèl simulation jaden elektwomayetik (HFSS) pou fè pou evite chanjman tanperati ki lakòz Dk drift ak matche rezo konpanse.
Konsepsyon tè ak pwoteksyon: Adopte yon estrikti sandwich "siyal tè siyal" tablo milti -, yon plan tè konplè epi endividi mete anba zòn debaz anplifikatè pouvwa a; Metalik atravè kloti yo ranje sou tou de bò chemen siyal la pou izole diafonis ant diferan chanèl anplifikatè ak siprime pwòp tèt ou -osilasyon eksite ki te koze pa kouple parazit.
Anbalaj ak atravè optimize: Minimize zòn pad tranzistò pouvwa a dapre rezilta simulation pou diminye kapasite parazit; Siyal gwo -vitès nan-twou a adopte teknoloji perçage tounen pou elimine depase poto kòb kwiv mete rezidyèl epi evite pwen sonorite nan gwoup frekans ki pi wo a 20GHz, ki ka lakòz efondreman.
Kontwòl pwosesis presizyon: reyalize pwodiksyon an mas segondè fyab
Tretman andigman: Teknoloji depozisyon an ajan pi pito pou gwo -chemen siyal frekans, diminye pèt kondiktè pa 0.2dB konpare ak depo lò / pous @ 10GHz An menm tan an, asire plat la nan kousinen yo soude epi evite depase pousantaj anile soude nan aparèy pouvwa segondè -.
Laminated presizyon: Fè egzateman kontwole tolerans epesè kouch dielectric nan ± 0.02mm asire konsistans enpedans; Plak peze PTFE ak FR-4 melanje adopte yon pwosesis chofaj etap ak peze pou fè pou evite delaminasyon ak devyasyon konstan dyelèktrik.
Verifikasyon anviwònman an: Komisyon Konsèy la fini te sibi 100 sik tanperati soti nan -40 degre a +85 degre pou verifye ke fluctuation pouvwa pwodiksyon anplifikatè pouvwa a se mwens pase 0.5dB nan diferan tanperati, satisfè kondisyon ki nan kondisyon travay piman bouk tankou estasyon baz deyò ak machin monte rada.